三、中游分析
1.刻蝕工藝
刻蝕工藝指的是用化學和物理方法，在經顯影后的電路圖永久和精確地留在晶圓上，選擇性的去除硅片上不需要的材料。刻蝕工藝的方法有兩大類，濕法蝕刻和干法蝕刻。具體如下圖所示：
資料來源：中商產業研究院整理
由于光刻機在20nm以下光刻步驟受到光波長度的限制，因此無法直接進行光刻與刻蝕步驟，而是通過多次光刻、刻蝕生產出符合人們要求的更微小的結構。目前普遍采用多重模板工藝原理，即通過多次沉積、刻蝕等工藝，實現10nm線寬的制程。根據相關數據，14nm制程所需使用的刻蝕步驟達到64次，較28nm提升60%；7nm制程所需刻蝕步驟更是高達140次，較14nm提升118%，工藝升級持續推動刻蝕機用量提升。
數據來源：SEMI、中商產業研究院整理
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