砷化鎵（gallium arsenide）是一種重要的半導體材料，化學式GaAs，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數第六節5×10-10m，禁帶寬度第四節電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。

砷化鎵材料的應用領域主要分為微電子領域和光電子領域。而生產GaAs的原材料主要有Ga（鎵）、As（砷）、Al2O3（氧化鋁）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（鎵）是最為可貴的原材料。

砷化鎵廣泛運用于高頻及無線通訊(主要為超過1G H z以上的頻率).適于制做IC器件。所制出的這種高頻、高速、防輻射的高溫器件，通常應用于激光器、無線通信、光纖通信、移動通信、GPS 全球導航等領域。砷化鎵除在IC產品應用以外,也可加入其它元素改變能帶隙及其產生光電反應，達到所對應的光波波長,制作成光電元件。

早在2007年，發光二極管就占據砷化鎵大塊墊底市場需求39%的最大份額。到2012年光電市場的終端需求的年平均復合增長率（CAAGR）由20%左右增長到79%左右。2013年，全球半絕緣砷化鎵的需求量增長不到1%。盡管需求量有所增長，收入還是比2012年減少了5%。

近年來，我國GaAs產量總體而言呈現出較快增長的態勢；不過近兩年來，由于替代品的競爭，產量增長速度有所減緩。2013年，我國GaAs產量達到415噸，同比增長#01%。2013，我國GaAs銷量達360噸，同比增長第三十四節%，銷售額達到12億元。

未來幾年，隨著我國光電通信等行業繼續大力發展。GaAs行業的市場需求潛力依然較大。預測到2018年，我國GaAs市場銷售額將接近19億元。

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