三、中游分析
1.刻蚀工艺
刻蚀工艺指的是用化学和物理方法，在经显影后的电路图永久和精确地留在晶圆上，选择性的去除硅片上不需要的材料。刻蚀工艺的方法有两大类，湿法蚀刻和干法蚀刻。具体如下图所示：
资料来源：中商产业研究院整理
由于光刻机在20nm以下光刻步骤受到光波长度的限制，因此无法直接进行光刻与刻蚀步骤，而是通过多次光刻、刻蚀生产出符合人们要求的更微小的结构。目前普遍采用多重模板工艺原理，即通过多次沉积、刻蚀等工艺，实现10nm线宽的制程。根据相关数据，14nm制程所需使用的刻蚀步骤达到64次，较28nm提升60%；7nm制程所需刻蚀步骤更是高达140次，较14nm提升118%，工艺升级持续推动刻蚀机用量提升。
数据来源：SEMI、中商产业研究院整理
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