中商情报网讯：碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。
近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动碳化硅衬底产业的发展。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出集中电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集中电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。
资料来源：中商产业研究院整理
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