二、上游分析
1.碳化硅衬底材料
碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。根据下游应用领域不同,可分类为导电型和半绝缘型。
在半绝缘型碳化硅衬底方面,2020年全球半绝缘型碳化硅衬底市场集中度较高,美国的Wolfspeed、II-IV以及国内山东天岳三家独大,占比合计高达98%。
数据来源:Yole,Wolfspeed,势银(TrendBank)、中商产业研究院整理
在导电型碳化硅衬底方面,2020年全球导电型碳化硅衬底美国的Wolfspeed一家独大,市占率高达62%,II-VI、SiCrystal、SKSiltron、天科合达等企业瓜分剩余市场。
数据来源:Yole,Wolfspeed,势银(TrendBank)、中商产业研究院整理
2.外延材料
碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。在器件制备方面,由于材料的特殊性,器件过程的加工和硅不同的是,采用了高温的工艺,包括高温离子注入、高温氧化以及高温退火工艺。通常用化学气相沉积(CVD)方法制造,根据不同的掺杂类型,分为n型、p型外延片。
3.重点企业分析
资料来源:中商产业研究院整理