2011-2012年中国半导体功率器件市场研究年度报告

【导读】

【报告描述】：

研究领域：电源管理IC 、MOSFET、IGBT
涉及厂商：Fairchild、ST、IR、On Semiconductor、TI等等
报告推荐
在经历了2010年半导体功率器件市场的快速上涨以后，随着全球经济增长的不确定性以及日本311大地震的影响，2011年半导体功率器件市场增长趋缓，全球市场增速在4%左右，而中国市场的增速在10%左右。分领域来看，汽车电子领域依然是增速最快的领域，而笔记本、手机等产品产量的大幅增长则带动了计算机领域、网络通信等领域功率器件市场的发展。从竞争格局上看，欧美厂商依旧占据中国功率器件市场竞争优势地位，MOSFET而言，飞兆、威世、英飞凌、IR仍处于领先地位，此外，中国台湾企业和韩国企业也占有一定的市场份额。未来几年，中国功率器件市场将保持在平稳增长，市场增速将保持在10%左右。
为了全面而准确的反映中国功率器件市场地发展现状以及未来趋势，公司推出《2011-2012年中国半导体功率器件市场研究年度报告》，将帮助业界厂商、投资者和相关政府机构更准确地把握中国功率器件市场的发展规律。
& 深入、翔实的市场研究数据。基于对行业产品的深度研究，提供对产品结构、应用结构等多个角度的市场数据，明晰市场发展方向。
& 全面、深刻的品牌竞争分析。公司从市场格局、竞争策略、SWOT分析等多个维度分析企业，评点市场领先要素。
& 科学、完整的未来发展预测。建立在各重点细分市场上的建模校验，并与相关产业环节进行关联分析，确保给出有价值的趋势分析与定量预测结果。

本报告全面总结了2011年中国半导体功率器件市场的发展状况，全面分析了其推进因素和市场特点，并对主要厂商进行了客观综合的评价，通过大量的调研访谈和详实准确的数据支撑，为客户提供完整的中国功率器件市场信息，为企业提供有效的决策参考，报告主要为客户提供了以下方面的内容。
& 目前国内功率器件市场规模及特点
& 按产品细分的功率器件市场情况
& 按应用领域细分的功率器件市场情况
& 主要厂商分析
& 未来各个细分市场的预测

报告框架
目录
研究对象
主要结论
重要发现
一、2011年全球半导体功率器件市场概述
(一) 市场规模与增长
(二) 基本特点
(三) 主要国家与地区
1、美国
2、欧洲
3、日本
二、2011年中国半导体功率器件市场概述
(一) 市场规模与增长
(二) 基本特点
(三) 市场结构分析
1、产品结构
2、应用结构
三、2012-2014年中国半导体功率器件市场发展预测
(一) 2012-2014年中国半导体功率器件市场规模预测
(二) 2012-2014年中国半导体功率器件市场结构预测
1、产品结构
2、应用结构
四、2012-2014年中国半导体功率器件市场趋势分析
(一) 市场发展趋势
(二) 产品技术趋势
(三) 产品价格趋势
五、2011年中国半导体功率器件市场细分产品研究
(一) MOSFET
(二) IGBT
(三) 电源管理IC
六、中国半导体功率器件市场竞争力分析
(一) 整体竞争格局
(二) 重点厂商竞争策略与SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、Vishay
4、……
七、公司建议

表目录
2007-2011年中国半导体功率器件市场规模
2011年中国半导体功率器件市场结构
2011年中国半导体功率器件市场应用结构
2011年中国MOSFET市场规模
2011年中国MOSFET市场应用结构
2011年中国MOSFET市场电压结构
……

图目录
2007-2011年全球半导体功率器件市场规模
2011年中国半导体功率器件市场品牌结构
2011年中国MOSFET市场品牌结构
2011年中国IGBT市场品牌结构
……